• Sách Ngoại Văn
  • Ký hiệu PL/XG: 621.38 R 218/ 03
    Nhan đề: Rapid Thermal Processing For Future Semiconductor Devices :

ISBN 0-44-51339-6
DDC 621.38
Nhan đề Rapid Thermal Processing For Future Semiconductor Devices : Proceedings of the 2001 Intermational Conference on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices / Edi.: Hisashi Fukuda
Thông tin xuất bản Amsterdam : Elsevies, 2003
Mô tả vật lý 150 p. : Minh hoạ ; 23 cm
Thuật ngữ chủ đề Vật lí ứng dụng
Từ khóa tự do Tiếng Anh
Từ khóa tự do Vật lí ứng dụng
Từ khóa tự do Thiết bị
Từ khóa tự do Chất bán dẫn
Từ khóa tự do Ngoại ngữ
Tác giả(bs) CN Fukuda, Hisashi
Địa chỉ Kho Ngoai Ngu(2): NN.002865-6
Tệp tin điện tử https://thuvien.vinhuni.edu.vn/kiposdata2/anhbia/vananh/ngoaingu/nn.002866_thumbimage.jpg
000 00000nam#a2200000ua#4500
001103600
0022
004DF5899D8-D995-4820-9509-BA86DCEF108C
005202507181117
008160608s2003 xxu eng
0091 0
020 |a0-44-51339-6
039|y20250718111742|zbmvananh
041 |aeng
082 |a621.38|bR 218/ 03
245 |aRapid Thermal Processing For Future Semiconductor Devices : |bProceedings of the 2001 Intermational Conference on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices / |cEdi.: Hisashi Fukuda
260 |aAmsterdam : |bElsevies, |c2003
300 |a150 p. : |bMinh hoạ ; |c23 cm
504 |aReferences: p. 150|b10
650 |aVật lí ứng dụng
653 |aTiếng Anh
653 |aVật lí ứng dụng
653 |aThiết bị
653 |aChất bán dẫn
653 |aNgoại ngữ
700 |aFukuda, Hisashi |eEdi.
852|aTVV|bKho Ngoai Ngu|j(2): NN.002865-6
8561|uhttps://thuvien.vinhuni.edu.vn/kiposdata2/anhbia/vananh/ngoaingu/nn.002866_thumbimage.jpg
890|a2|b0|c0|d0
Dòng Mã vạch Nơi lưu Chỉ số xếp giá Loại tài liệu Bản sao Tình trạng Thành phần Đặt mượn
1 NN.002866 Kho Ngoai Ngu 621.38 R 218/ 03 Sách Ngoại Văn 2
2 NN.002865 Kho Ngoai Ngu 621.38 R 218/ 03 Sách Ngoại Văn 1
Comment